【第一套】2023 秋招/2024 年校招-华为-硬件-电源方向笔试题

压敏电阻选型需满足：压敏电压 Uc>最大持续工作电压 Umax>额定工作电压
Un；绝不允许 Uc 低于被保护对象上限工作电压。
A.正确 B.错误

传统铁氧体功率电感的饱和电流参数，如下说法正确的是（）。
A．饱和电流是电感量下降 20%的电流
B．饱和电流是电感量下降 30%的电流
C．饱和电流是电感量下降 10%的电流
D．饱和电流是电感量下降 40%的电流

磁性材料的分类有哪些？（此类存疑）
A、软磁材料
B、复合磁材料
C、硬磁材料
D、矩磁材料

三相电源对称星形连接时线电压相对相电压的关系为
A、1/√3 倍,超前 30 度
B、1/√3 倍,滞后 30 度
C、√3 倍,滞后 30 度
D、√3 倍,超前 30 度

一段 10mm 宽度，1mm 厚度的铜箔，通流 100A，其通流密度为多少？
A、50A/mm2
B、20A/mm2
C、100A/mm2
D、10A/mm2

半桥电路的动点()，周围避免走敏感信号线，避免干扰.
A、输出电压网络
B、辅助供电电源输出
C、桥臂中点网络
D、输入电压网络

贴片电阻的阻值为 5.1k，它的标号是( )
A、512
B、514
C、513
D、511

在正激式开关电源中，往往要增加一组绕组即励磁绕组，其主要作用是（）
A、增加输出能量
B、增加生源磁通量
C、磁芯复位
D、没多大作用

PCB 布局时，器件轴向(长边) 与单板变形方向最好垂直摆放。
A、正确 B、错误

10.在电子迁移率公式 u=qt/m 中，t 指的是扩散时间。
A、正确 B、错误

11.相同容量电压下，ESR 最小的电容是 ( )
A、铝电容
B、薄膜电容
C、钽电容
D、陶瓷电容

12.三极管的输出截止饱和工作特性是()之间的关系曲线。
A、Ic 与 Vbe
B、Ib 与 Ic
C、Ic 与 Vce
D、Ib 与 Vbe

13.大电流大动态分析时，环路稳定性一般采用什么仪器测试?
A、频谱仪
B、示波器
C、万用表
D、波特仪

14.针对 SC 架构的反向能力，说法不正确的是?
A、纯从 SC 架构来看，去除所有外加保护功能，当输出有电池时，输入电压
撤出后，……
B、如 SC 架构的 Si 基芯片正向支持展低 6V 转 3V，则一定也可以支持反向 3V
转 6V
C、SC 反向 1:2 时候，power on 带载能力差，需要避免 Power on 过程中带载
D、如 SC 架构正向实现 2:1 转换，那么多数反向可以实现 1:2 转换
解析：B、如 SC 架构的 Si 基芯片正向支持展低 6V 转 3V，则一定也可以支持
反向 3V 转 6V 的说法是不正确的。
SC 架构是指串联电容（Series Capacitor）架构，用于 DC-DC 变换器的
设计。在 SC 架构中，输入电压通过串联电容拆分成多个电压阶段，最终输出
所需的目标电压。由于 SC 架构的特性，正向转换和反向转换不一定能够完全
互通。
在正向转换的情况下，如果 SC 架构的 Si 基芯片支持从 6V 到 3V 的转换，
那么说明该芯片可以将输入电压从 6V 降低到 3V。但是，这并不意味着它一
定可以将输入电压从 3V 升高到 6V，因为 SC 架构的特性决定了其在反向转换
时可能会存在一些限制。
因此，针对 SC 架构的反向能力，并不能简单地基于正向转换的能力来推
断反向转换的能力。在具体应用中，需要对 SC 架构的特性进行仔细分析和评
估，以确定其在反向转换时的可行性和限制。

15.降低 Si MOS 器件开关损耗主要方法?
A、选用 Qg 更大器件
B、减少 Ls
C、减少 Rdson
D、增加驱动电阻
解析：降低 Si MOS 器件的开关损耗有以下几种主要方法：
减少 Ls（选项 B）：Ls 代表源极电感，减少源极电感可以降低开关过程中的
电压和电流的上升和下降速度，进而减小开关损耗。
减少 Rdson（选项 C）：Rdson 代表沟道电阻，减少沟道电阻可以降低导通状
态下的功耗，从而减小开关损耗。
A 选用 Qg 更大器件是不正确的。Qg 代表门电荷，选择 Qg 更大的器件可能会
增加开关过程中的电荷和电压波动，引起额外的开关损耗。
D 增加驱动电阻也是不正确的。增加驱动电阻会降低驱动能力，从而导致开
关速度变慢，但不会减少开关损耗。
综上所述，正确的答案是 B、减少 Ls 和 C、减少 Rdson。

16.在家庭组网中，下列哪项障碍物度无线信号的影响最大 ()
A、玻璃门
B、砖墙
C、房间窗户
D、金属柜

17.栅电压为零，沟道不存在，加上一个负电压才能形成 P 沟道，该 MOSFET 为
（）类型
A、P 沟道耗尽型
B、N 沟道增强型
C、P 沟道增强型
D、N 沟道耗尽型

18.最小相位系统的开环增益越大，则
A、振荡次数越多
B、稳定裕量越大
C、相位变化越小
D、稳态误差越小

19.BOOST 电路工作在连续模式，仅 BOOST 电路的输入电压升高时，下面描述不
正确的是
A、输入滤波电感的纹波变大
B、输出电容纹波电流变小
C、占空比变小
D、开关管的电压应力不变

20.电力电子器件造成了大量的谐波和电磁辐射，可能会对控制电路造成不小的
影响，通过（）方法规避。
A、电阻隔离
B、电磁屏蔽
C、电气隔离

21.在地球大气层之外，地球与太阳平均距离处，垂直与太阳光方向的单位面积
上的辐射能基本能为一个常数。这个辐射强度称为
A、大气质量
B、太阳常数
C、辐射强度
D、太阳光谱

22.基尔霍夫定律是分析一切 () 电路的基本依据。
A、电流参数
B、集总参数
C、电阻参数
D、电压参数

23.对于应用硬开关 MOS 器件，初选主要考虑哪个参数()
A、RdsonQgd
**B、RdsonQg**
C、Qg
D、Rdson

24.用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是
U1=2.8V,U2=2.1V,U3=7V，那么该三极管为（）
A、MOS 管
B、PNP
C、发射极
D、NPN

25.实验时，TTL 芯片发烫，不可能的原因是()
A、电源使用 12V
B、插反芯片
C、电源与地短路
D、电源使用 4V

26.以下不直接影响高频功率电感铜损的是()?
A、输入输出电压
B、开关频率
C、纹波电流
D、直流偏置电流

27.下面 4 种类型的器件，哪种属于高频耗能器件()
A、电感
B、磁珠
C、电容
D、开关电源

28.在连续工作模式下，如果 Buck 变换器的占空比为 Dy，则其输出与输入电压
之比为:
A、Dy
B、1- Dy
C、1/（1- Dy）
D、1/ Dy

29.MOS 管的栅极可与双极型栅极的()相对应
A、集电极
B、发射极
C、发射极或集电极
D、基极

30.在纯电感电路中，已知端电压为余弦交流，则电压与流过该电感的电流相位
差为
A、0。 B、-90。 C、+90。 D、+180。

多选题
31.三极管与场效应管的显著区别是 ()
A、三极管的工作状态由电流控制，场效应管的工作状态由电压控制
B、三极管的输入电阻远高于场效应管的输入电阻
C、场效应管的输入电阻远高于三极管的输入电阻
D、三极管的工作状态由电压控制，场效应管的工作状态由电流控制

32.SiC 二极管相对普通 Si 二极管的优势描述正确的是
A、耐压更高
B、成本更低
C、耐冲击电流更强
D、开关损耗更低

33.数字万用表在测量直流电压时，输入阻抗(INPUT Z)可以设置为 ()或()?
A、100M B、1G C、10M 欧姆 D、>10G 欧姆

34.场效应管的低频跨导 gm ()
A、不是常数
B、常数
C、与栅源电压无关
D、与栅源电压有关

35.理想运算放大器的两条重要法则是:
A、运放工作在负反馈状态
B、净输入电流为 0
C、净输入电压等于 0
D、运放工作在开环状态

36.同步整流技术广泛应用于低压大电流 Buck 变换器中，其主要作用包括:
A、使变换器的控制环路更加稳定
B、提高效率
C、消除断续模式下低频实极点，提高了截止频率
D、提高轻载时的动态性能

37.关于峰值电流模式控制方式面临的挑战点，以下说法正确的是
A、动态响应速度相比传统电压控制稍慢，所以要增加 SPCAP
B、检测电流需要有最小导通或最小关断时间要求，需要注意应用场景能否满
足
C、峰值电流控制模式下，当占空比大于 50%，会产生次谐波振荡，需要斜坡
补偿
D、系统容易收到电流噪声的干扰而误动作，对噪声敏感，抗噪声性能差
解析：
峰值电流模式控制方式中，对于电流的检测和控制需要考虑最小导通或最小关断
时间的要求。这是因为峰值电流模式控制是基于电流反馈的，在控制开关管导通
和关断时，需要保证电流检测的准确性，并且在一定时间内完成导通和关断操作。
因此，需要对应用场景进行充分的考虑和评估，确保能够满足电流检测的最小时
间要求。
其他选项的说法是不准确的：
A、动态响应速度相比传统电压控制稍慢，所以要增加 SPCAP。动态响应速度与峰
值电流控制方式并没有直接的关系，因此使用 SPCAP 来增加响应速度是不正确
的。
C、峰值电流控制模式下，当占空比大于 50%，会产生次谐波振荡，需要斜坡补
偿。峰值电流控制模式下并不会因为占空比大于 50%而产生次谐波振荡，所以斜
坡补偿是不必要的。
D、系统容易收到电流噪声的干扰而误动作，对噪声敏感，抗噪声性能差。峰值
电流模式控制方式并没有特别的敏感于电流噪声或抗噪声性能差的问题，这个说
法不准确。